<<< МП и П - не серия, а обозначение "Полупроводниковый" >>>

Система обозначения советских полупроводников до 1964 года.

У приборов, разработанных до 1964 г. и выпускающихся позже (плоскостные транзисторы - до 1973), условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
П е р в ы й элемент обозначения - буква: Д для диодов, П для плоскостных транзисторов.
В т о р о й элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения.
Т р е т и й элемент обозначения - буква, указывающая разновидность прибора.

П - германиевые плоскостные транзисторы, МП - германиевые плоскостные с холодносварным металлостеклянным корпусом.

Ну а П208 имел максимальный ток 25 Ампер, рассеиваемая мощность (на радиаторе) до 100 Ватт. Транзисторы содержали в одном корпусе два кристалла от П210, из-за того, что не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и производились недолго, 1959-1961 годах. Диаметр по фланцу 62 мм, так что это один из самых крупных биполярных транзисторов СССР, но не самый мощный.



Самые мощные биполярные транзисторы ТК265-125-8 и ТК265-250-7. Ключевые n-p-n транзисторы, максимальный импульсный ток 125 (250) А, максимальное импульсное напряжение 800 (700) В.





Самый мощный полевой транзистор 6П20.10П-80-0,6.



60 В, 80 А (200 А импульсное), 105 х 78 х 38 мм.

Самая крупная гибридная микросхема К2ПН321 (К232ПН1), электронный ключ для ламп дневного света.



Самые большие DIP-корпуса были у К1107ПВ2



и у К1107ПВ6, 64 ноги - мечта аффинажника.

еще 14.999.999.999 таких транзистора и получится топовая видюха на которой можно майнить

Не "Германиевые", а просто транзисторы. Потому что существовали кремниевые серии П101-П103, П111-П113 (и, соответственно, МП с теми же номерами). Они, кстати, и продержались в производстве дольше всех П/МП.
И не "плоскостные", а "сплавные" (иногда пишут "микросплавные"). "П" появилось от шифра тем НИР по которой в СССР разрабатывали первые кремниевые микросплавные транзисторы - "Плоскость" и германиевые "Парис" (серии П401-П403). А вот первая буква в шифрах тем "П" это не от Винни-Пуха, а от слова "полупроводник".

Почему их называют "плоскостными" мне неизвестно, учитывая, что эти транзисторы имели лишь чуть менее ажурную конструкцию по сравнению с первыми точечными транзисторами серий КС1-КС8, затем С1-С4. Первые действительно "плоскостные" - плнанарно-эпитаксиальные - транзисторы появились только через 15 лет.

Да, о нечетных сериях транзисторов я как-то забыл Ранние массовые транзисторы в основном были германиевые. Дальнейшее развитие технологий показало преимущество кремния перед германием.

Но по поводу плоскостных транзисторов

<<< 26 июня 1948 года Bell Labs подал патентную заявку на изобретение плоскостного транзистора >>>

<<< В 1950 году Холл и Данлоп предложили формировать p-n-переходы сплавлением, а первые практические сплавные транзисторы были выпущены General Electric в 1952 году >>>

https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторыhttps://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторы

https://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdfhttps://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdf

https://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorovhttps://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorov

Классификация биполярных транзисторов производится по следующим признакам:

1) по типу электропроводности внешних областей: р-п-р - дырочная электропроводность, и п-р-п - электронная электропроводность;

2) по применяемому материалу: германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые;

3) по конструктивному исполнению:

- точечные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного меньше толщины контактирующих поверхностей
- плоскостные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного больше толщины контактирующих поверхностей полупроводников

4) по технологии и методу изготовления р-п-переходов:

- сплавные - р-п-переходы получены вплавлением примесей с двух сторон в кристалл базы
- диффузионные - р-п-переходы получены введением примесей в полупроводниковый материал с помощью двух процессов диффузии
- эпитаксиальные - р-п-переходы получены методом эпитаксиального наращивания тонких высокоомных монокристаллических слоев (пленок) вещества на низкоомную подложку (кристалл)
- планарные - р-п-переходы получены методом фотолитографии - плоские контактирующие поверхности создаются по шаблону-плану травлением и диффузионным напылением на вытравленные участки
- мезодиффузионные, мезосплавные, мезоэпитаксильные - получены после предварительной обработки поверхности полупроводника, в результате которой образуются небольшие столбики, получившие название мезо (от исп. mesa - стол, плато, выступ). На них формируются различными методами полупроводниковые переходы
- конверсионные - р-п-переходы созданы изменением (конверсией) типа электропроводности исходной полупроводниковой пластины в результате термической обработки и введением в нее примеси с помощью вплавления и диффузии, т.е. изготавливаются по диффузионно-сплавной технологии

Много текста, но интересно и полезно.

Ну и по системе обозначений - насколько я понимаю, до 1964 года применялись отраслевые стандарты ОСТ, и только ГОСТ 10862-64 и последующие стали едиными для всех.

ну да, меня выручал папа (он занимался ремонтом аппаратуры на дому) и операция "хрусталь"... веселое было время...

МП-35/37 - да, копеек 35 или 40.

А вот те, что в усилках стояли, уже по несколько рублей за штуку продавались. В магазинах. Если в наличии были, конечно.

Нет

И где ж эта цена размещалась?

Тампопечать двусторонней не бывает.
2Т315 стоил 0,15 коп. Т.е. на рупь давали более 600 штук.

На лицевой стороне, только корпус желтый был.
Фото не мое.

Был не прав, каюсь.
Я с 315(361)-ми был знаком через ЦНИИМаш, у нас маркировка, отбор, цвет компаунда и цены были немного другие.