Какие транзисторы покупал Шурик в фильме «Иван Васильевич меняет профессию»

<<< МП и П - не серия, а обозначение "Полупроводниковый" >>>

Система обозначения советских полупроводников до 1964 года.

У приборов, разработанных до 1964 г. и выпускающихся позже (плоскостные транзисторы - до 1973), условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
П е р в ы й элемент обозначения - буква: Д для диодов, П для плоскостных транзисторов.
В т о р о й элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения.
Т р е т и й элемент обозначения - буква, указывающая разновидность прибора.

П - германиевые плоскостные транзисторы, МП - германиевые плоскостные с холодносварным металлостеклянным корпусом.

Ну а П208 имел максимальный ток 25 Ампер, рассеиваемая мощность (на радиаторе) до 100 Ватт. Транзисторы содержали в одном корпусе два кристалла от П210, из-за того, что не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и производились недолго, 1959-1961 годах. Диаметр по фланцу 62 мм, так что это один из самых крупных биполярных транзисторов СССР, но не самый мощный.



Самые мощные биполярные транзисторы ТК265-125-8 и ТК265-250-7. Ключевые n-p-n транзисторы, максимальный импульсный ток 125 (250) А, максимальное импульсное напряжение 800 (700) В.





Самый мощный полевой транзистор 6П20.10П-80-0,6.



60 В, 80 А (200 А импульсное), 105 х 78 х 38 мм.

Самая крупная гибридная микросхема К2ПН321 (К232ПН1), электронный ключ для ламп дневного света.



Самые большие DIP-корпуса были у К1107ПВ2



и у К1107ПВ6, 64 ноги - мечта аффинажника.

еще 14.999.999.999 таких транзистора и получится топовая видюха на которой можно майнить

Не "Германиевые", а просто транзисторы. Потому что существовали кремниевые серии П101-П103, П111-П113 (и, соответственно, МП с теми же номерами). Они, кстати, и продержались в производстве дольше всех П/МП.
И не "плоскостные", а "сплавные" (иногда пишут "микросплавные"). "П" появилось от шифра тем НИР по которой в СССР разрабатывали первые кремниевые микросплавные транзисторы - "Плоскость" и германиевые "Парис" (серии П401-П403). А вот первая буква в шифрах тем "П" это не от Винни-Пуха, а от слова "полупроводник".

Почему их называют "плоскостными" мне неизвестно, учитывая, что эти транзисторы имели лишь чуть менее ажурную конструкцию по сравнению с первыми точечными транзисторами серий КС1-КС8, затем С1-С4. Первые действительно "плоскостные" - плнанарно-эпитаксиальные - транзисторы появились только через 15 лет.

Да, о нечетных сериях транзисторов я как-то забыл Ранние массовые транзисторы в основном были германиевые. Дальнейшее развитие технологий показало преимущество кремния перед германием.

Но по поводу плоскостных транзисторов

<<< 26 июня 1948 года Bell Labs подал патентную заявку на изобретение плоскостного транзистора >>>

<<< В 1950 году Холл и Данлоп предложили формировать p-n-переходы сплавлением, а первые практические сплавные транзисторы были выпущены General Electric в 1952 году >>>

https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторыhttps://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторы

https://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdfhttps://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdf

https://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorovhttps://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorov

Классификация биполярных транзисторов производится по следующим признакам:

1) по типу электропроводности внешних областей: р-п-р - дырочная электропроводность, и п-р-п - электронная электропроводность;

2) по применяемому материалу: германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые;

3) по конструктивному исполнению:

- точечные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного меньше толщины контактирующих поверхностей
- плоскостные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного больше толщины контактирующих поверхностей полупроводников

4) по технологии и методу изготовления р-п-переходов:

- сплавные - р-п-переходы получены вплавлением примесей с двух сторон в кристалл базы
- диффузионные - р-п-переходы получены введением примесей в полупроводниковый материал с помощью двух процессов диффузии
- эпитаксиальные - р-п-переходы получены методом эпитаксиального наращивания тонких высокоомных монокристаллических слоев (пленок) вещества на низкоомную подложку (кристалл)
- планарные - р-п-переходы получены методом фотолитографии - плоские контактирующие поверхности создаются по шаблону-плану травлением и диффузионным напылением на вытравленные участки
- мезодиффузионные, мезосплавные, мезоэпитаксильные - получены после предварительной обработки поверхности полупроводника, в результате которой образуются небольшие столбики, получившие название мезо (от исп. mesa - стол, плато, выступ). На них формируются различными методами полупроводниковые переходы
- конверсионные - р-п-переходы созданы изменением (конверсией) типа электропроводности исходной полупроводниковой пластины в результате термической обработки и введением в нее примеси с помощью вплавления и диффузии, т.е. изготавливаются по диффузионно-сплавной технологии

Много текста, но интересно и полезно.

Ну и по системе обозначений - насколько я понимаю, до 1964 года применялись отраслевые стандарты ОСТ, и только ГОСТ 10862-64 и последующие стали едиными для всех.