Какие транзисторы покупал Шурик в фильме «Иван Васильевич меняет профессию»
И почему они стоили так дорого? Для сборки его машины времени не хватило бы не то что отпускных советского инженера, а и всей казны Ивана Грозного.
Какие именно транзисторы использовал Шурик в фильме не сказано. Но можно судить по косвенным признакам: когда случилось замыкание, был обесточен весь дом.
Источник:
А значит он установил в щитке квартиры «жучки». Об этом можно судить по сцене, где он меняет общедомовые предохранители.
Источник:
Через них нельзя подключать не то что дом, а и подъезд - они сразу сгорят. Тут нужны предохранители на 200-300 Ампер и вот как они выглядят.
Источник:
В СССР были и такие транзисторы, но они были внушительного размера и не продавались в магазинах радиодеталей.
Источник:
Так что вариант с мощным транзистором не подходит. Зато есть другое свидетельство: когда Шурик обошёл все магазины и ничего не нашёл, то наткнулся на спекулянта у которого и купил нужные детали.
Источник:
Это маломощные транзисторы серии МП или П. Их широко использовали в бытовой технике, а вот достать их в продаже было действительно проблемой. В основном, в магазинах были радиолампы.
Всё же к 1970-м годам перечень транзисторов вырос и уже было из чего выбрать. Но обратите внимание на цены: даже маломощный П-416 шёл по 3,5 рубля.
Источник:
В схеме их могло быть несколько десятков, так что скромной зарплаты инженера тут явно не хватит. Конечно, были и мощные КТ805, на них собирали усилители, но достать их было очень сложно.
Источник:
К 1980-м годам цены на транзисторы стали уменьшаться и это позволило снизить цены на радиоаппаратуру.
Источник:
Так что инженеру Тимофееву стоило бы сперва отправиться не во времена Иоанна Грозного, а в наши дни. Ему бы выдали пару мешков транзисторов, причём совершенно бесплатно.
Источник:
40 комментариев
3 года назад
Удалить комментарий?
Удалить Отмена3 года назад
Удалить комментарий?
Удалить Отмена3 года назад
Система обозначения советских полупроводников до 1964 года.
У приборов, разработанных до 1964 г. и выпускающихся позже (плоскостные транзисторы - до 1973), условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
П е р в ы й элемент обозначения - буква: Д для диодов, П для плоскостных транзисторов.
В т о р о й элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения.
Т р е т и й элемент обозначения - буква, указывающая разновидность прибора.
П - германиевые плоскостные транзисторы, МП - германиевые плоскостные с холодносварным металлостеклянным корпусом.
Ну а П208 имел максимальный ток 25 Ампер, рассеиваемая мощность (на радиаторе) до 100 Ватт. Транзисторы содержали в одном корпусе два кристалла от П210, из-за того, что не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и производились недолго, 1959-1961 годах. Диаметр по фланцу 62 мм, так что это один из самых крупных биполярных транзисторов СССР, но не самый мощный.
Самые мощные биполярные транзисторы ТК265-125-8 и ТК265-250-7. Ключевые n-p-n транзисторы, максимальный импульсный ток 125 (250) А, максимальное импульсное напряжение 800 (700) В.
Самый мощный полевой транзистор 6П20.10П-80-0,6.
60 В, 80 А (200 А импульсное), 105 х 78 х 38 мм.
Самая крупная гибридная микросхема К2ПН321 (К232ПН1), электронный ключ для ламп дневного света.
Самые большие DIP-корпуса были у К1107ПВ2
и у К1107ПВ6, 64 ноги - мечта аффинажника.
Удалить комментарий?
Удалить Отмена3 года назад
Удалить комментарий?
Удалить Отмена3 года назад
И не "плоскостные", а "сплавные" (иногда пишут "микросплавные"). "П" появилось от шифра тем НИР по которой в СССР разрабатывали первые кремниевые микросплавные транзисторы - "Плоскость" и германиевые "Парис" (серии П401-П403). А вот первая буква в шифрах тем "П" это не от Винни-Пуха, а от слова "полупроводник".
Почему их называют "плоскостными" мне неизвестно, учитывая, что эти транзисторы имели лишь чуть менее ажурную конструкцию по сравнению с первыми точечными транзисторами серий КС1-КС8, затем С1-С4. Первые действительно "плоскостные" - плнанарно-эпитаксиальные - транзисторы появились только через 15 лет.
Удалить комментарий?
Удалить Отмена3 года назад
Но по поводу плоскостных транзисторов
<<< 26 июня 1948 года Bell Labs подал патентную заявку на изобретение плоскостного транзистора >>>
<<< В 1950 году Холл и Данлоп предложили формировать p-n-переходы сплавлением, а первые практические сплавные транзисторы были выпущены General Electric в 1952 году >>>
https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторыhttps://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора#Ранние_плоскостные_транзисторы
https://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdfhttps://mpei.ru/Structure/Universe/ire/structure/se/DocLib/Твердотельная электроника/Учебник/11_Биполярные транзисторы.pdf
https://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorovhttps://studref.com/561541/tehnika/klassifikatsiya_bipolyarnyh_tranzistorov
Классификация биполярных транзисторов производится по следующим признакам:
1) по типу электропроводности внешних областей: р-п-р - дырочная электропроводность, и п-р-п - электронная электропроводность;
2) по применяемому материалу: германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые;
3) по конструктивному исполнению:
- точечные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного меньше толщины контактирующих поверхностей
- плоскостные - линейные размеры, определяющие площадь контактирующих поверхностей электронно-дырочного перехода, намного больше толщины контактирующих поверхностей полупроводников
4) по технологии и методу изготовления р-п-переходов:
- сплавные - р-п-переходы получены вплавлением примесей с двух сторон в кристалл базы
- диффузионные - р-п-переходы получены введением примесей в полупроводниковый материал с помощью двух процессов диффузии
- эпитаксиальные - р-п-переходы получены методом эпитаксиального наращивания тонких высокоомных монокристаллических слоев (пленок) вещества на низкоомную подложку (кристалл)
- планарные - р-п-переходы получены методом фотолитографии - плоские контактирующие поверхности создаются по шаблону-плану травлением и диффузионным напылением на вытравленные участки
- мезодиффузионные, мезосплавные, мезоэпитаксильные - получены после предварительной обработки поверхности полупроводника, в результате которой образуются небольшие столбики, получившие название мезо (от исп. mesa - стол, плато, выступ). На них формируются различными методами полупроводниковые переходы
- конверсионные - р-п-переходы созданы изменением (конверсией) типа электропроводности исходной полупроводниковой пластины в результате термической обработки и введением в нее примеси с помощью вплавления и диффузии, т.е. изготавливаются по диффузионно-сплавной технологии
Много текста, но интересно и полезно.
Ну и по системе обозначений - насколько я понимаю, до 1964 года применялись отраслевые стандарты ОСТ, и только ГОСТ 10862-64 и последующие стали едиными для всех.
Удалить комментарий?
Удалить Отмена